非晶質炭素膜の成膜装置とその成膜方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野口武男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000064354
Publication number (International publication number)：2001254170
Application date： Mar. 09, 2000
Publication date： Sep. 18, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】成膜部材の表面に堆積される非晶質炭素膜の膜質を向上させることを可能にした非晶質炭素膜の成膜装置を提供することにあり、更に蒸発源である成膜材料の熱拡散によるエネルギー損失、カーボン液滴や破片粒子の発生を抑制して所要のアブレーションを起こさせることを可能にした。【解決手段】レーザ発振器(2) に内蔵されたパルス発生手段からのナノ秒のレーザパルスを、光学ユニット(3) に配された超短パルス幅圧縮手段(10)を介して200フェムト秒以下の超短パルスに圧縮する。パルスレーザの照射エネルギーが熱エネルギーとして成膜材料(20)の照射領域外に拡散する前に、レーザアブレーション法に基づき極めて短いレーザ照射時間をもって成膜材料(20)に前記照射エネルギーを局部的に投入し、同成膜材料(20)を効果的に剥離噴出させて成膜部材21の表面に非晶質炭素膜を形成する。成膜材料(20)としてはグラファイト等が使われる。

Claim (excerpt)：

レーザ発振器から出射するレーザビームを光学ユニットを介して成膜材料の表面に集光させるレーザ部と、同レーザ部からのレーザビームの照射により前記成膜材料を蒸散させて成膜部材の表面に非晶質炭素膜を形成する成膜処理部とを備えた成膜装置であって、前記レーザ発振器がパルス発生手段を有し、前記光学ユニットは前記レーザ発振器から出射されるパルスレーザをフェムト秒領域の超短パルス幅に圧縮する超短パルス幅発生手段を有してなる、ことを特徴とする非晶質炭素膜の成膜装置。

IPC (3)：

C23C 14/28 , H01L 21/203 , H01S 3/10

FI (3)：

C23C 14/28 , H01L 21/203 Z , H01S 3/10 Z

F-Term (21)：

4K029BA34 , 4K029BB10 , 4K029CA01 , 4K029DB20 , 5F072AB13 , 5F072AB20 , 5F072HH07 , 5F072JJ20 , 5F072KK05 , 5F072KK30 , 5F072YY20 , 5F103AA10 , 5F103BB09 , 5F103BB17 , 5F103BB52 , 5F103BB57 , 5F103DD30 , 5F103GG03 , 5F103NN04 , 5F103NN05 , 5F103NN07

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