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J-GLOBAL ID：200903066060377843

太陽電池

Inventor： 上田 孝 ,  秋山 正博 ,  山市 英治 ,  山岸 長保
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994081296
Publication number (International publication number)：1995297425
Application date： Apr. 20, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 太陽電池において、光電変換効率を高めると共に光吸収により電子、正孔を生成できる光の波長範囲を広げる。【構成】 一方の基板面26a 上に順次に光電変換層22及び窓層28を設け、窓層28上にコンタクト層34を介し電極30を設ける。また他方の基板面26b 上に電極32を設ける。光電変換層22は基板面26a 側から順次に設けたn型、i型及びp型の半導体層22a、22b 及び22c から成る。このi型半導体層22b 中に、半導体微結晶24を離散させて設ける。微結晶24は、これに接する半導体層22b よりも大きなバンドギャップを有しかつ当該微結晶24のバンドギャップ中に深い準位を有するので、目的を達成できる。

Claim (excerpt)：

pn接合又はpin接合を形成する半導体層から成る光電変換層と、該光電変換層中に島状に散在させて設けた半導体微結晶とを備え、前記半導体微結晶は、当該微結晶と接する半導体層よりも大きなバンドギャップを有し、かつ、該バンドギャップ中に深い準位を有して成ることを特徴とする太陽電池。

FI (2)：

H01L 31/04 L ,  H01L 31/04 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-084073
  
• 特開昭60-224281