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J-GLOBAL ID：200903066078885838

単極性整流素子

Inventor： 村上 善則 ,  下井田 良雄
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998210866
Publication number (International publication number)：2000049362
Application date： Jul. 27, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】高い耐圧をもち得て、漏れ電流が少なく、かつ特性劣化の少ない単極性整流素子を実現する。【解決手段】カソード領域である一導電型半導体基体2の一主面に複数の溝を設け、各溝の内面に絶縁膜5とその内部を埋める導体6を有し、絶縁膜5に隣接する主面に同一導電型のアノード領域3を有し、半導体基体2に接してショットキー接合4をなし、かつアノード領域3と導体6とに接続する金属製のアノード電極を有し、導体6は絶縁膜5を介して隣接する半導体基体中に空乏領域を形成する仕事関数の材料からなり、溝の、各側壁同士の間隔Hは、対抗する側壁のない溝から発した空乏領域の幅の1.6倍以下であり、溝の側壁に沿ってアノード領域3の界面から溝の底部までの距離Lは側壁同士の間隔Hの2乃至3倍以上に設定した単極性整流素子。

Claim (excerpt)：

カソード領域である一導電型半導体基体の一主面にあって溝を複数有し、前記溝の断面はU字型をなし、前記各溝の内面に絶縁膜を有し、前記絶縁膜に接して前記溝の内部を埋め立てるように導体を有し、前記絶縁膜に隣接する前記主面に同一導電型のアノード領域を有し、前記半導体基体に接してショットキー接合をなし、かつ、前記アノード領域と前記導体とに接続する金属製のアノード電極を有し、前記導体は前記絶縁膜を介して隣接する前記半導体基体中に空乏領域を形成するような仕事関数の材料からなり、前記溝の、各側壁同士の間隔は、対抗する側壁のない前記溝から発した前記空乏領域の幅の1.6倍以下であり、前記溝の側壁に沿って前記同一導電型アノード領域の界面から前記溝の底部までの距離は前記側壁同士の間隔の2乃至3倍以上である、ことを特徴とする単極性整流素子。

IPC (2)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/861

FI (2)：

H01L 29/48 M ,  H01L 29/91 D

F-Term (8)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB39 ,  4M104CC03 ,  4M104FF06 ,  4M104FF11 ,  4M104FF34 ,  4M104GG03