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J-GLOBAL ID：200903066083238557

ドライエッチング装置

Inventor： 古尾谷 周一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994284982
Publication number (International publication number)：1996144072
Application date： Nov. 18, 1994
Publication date： Jun. 04, 1996
Summary：

【要約】【目的】 シリコン酸化膜のドライエッチングにおける選択比をより向上させ、かつこれのバラツキや変動を小さく抑制することを目的とする。【構成】 エッチングステージ5,石英天板2,チャンバー容器1の温度をそれぞれ所定の高温度値に制御保持し、エッチングステージ5の温度を室温以下の低温度に設定する。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハが装着される下部電極としてのエッチングステージと、そのエッチングステージを覆うように配設されたチャンバー容器とを備え、エッチングガスが導入された前記チャンバー容器上部より高周波電力を印加することにより得られるガスプラズマにより、前記エッチングステージ上の半導体ウエハのエッチング処理を行うドライエッチング装置において、前記エッチングステージと、それ以外の前記チャンバー容器を構成する各々の部分とに、それぞれ温度制御手段が設けられていることを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (3)：

C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特公平4-042821
  
• 特開平3-215687
  
• 特公平5-060256