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J-GLOBAL ID：200903066087668998

波長変換型レーザ装置およびその制御方法

Inventor： 油利 正昭
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001194112
Publication number (International publication number)：2003005237
Application date： Jun. 27, 2001
Publication date： Jan. 08, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体レーザ素子から出射する光を非線形光学素子により第2高調波に変換する場合に、半導体レーザの波長と出力を個別に制御する。【解決手段】 シリコン基板1の上に、受光素子7と電極パターン4の形成されたシリコン基板1の上に、光出力制御端子2aと波長制御端子2bと共通端子2cを有するAlGaAs系の波長可変型半導体レーザ素子2がAuSn半田材5を介してジャンクションダウンでマウントされると共に、LiNbO3を主材料とし表面に約3μm周期で形成された分極反転構造3aと、幅約3μmでプロトン交換法により形成された導波路3bを有する非線形光学素子3が、導波路3bの側をシリコン基板1側にして透明樹脂6によりマウントされている。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に配置された半導体レーザ素子と、前記基板上に配置され、かつ前記半導体レーザ素子の前方端面側に位置する非線形光学素子と、前記基板上に形成され、かつ前記半導体レーザ素子の前方または後方端面側に位置する受光素子とを備えたことを特徴とする波長変換型レーザ装置。

IPC (3)：

G02F 1/377 ,  G11B 7/125 ,  H01S 5/022

FI (4)：

G02F 1/377 ,  G11B 7/125 A ,  G11B 7/125 C ,  H01S 5/022

F-Term (28)：

2K002AA05 ,  2K002AB12 ,  2K002BA01 ,  2K002CA03 ,  2K002DA06 ,  2K002EA07 ,  2K002EA25 ,  2K002GA05 ,  2K002HA20 ,  5D119AA01 ,  5D119AA11 ,  5D119AA22 ,  5D119AA38 ,  5D119BA01 ,  5D119EB02 ,  5D119FA05 ,  5D119FA25 ,  5D119HA13 ,  5D119HA14 ,  5D119HA36 ,  5D119JA29 ,  5F073AB23 ,  5F073BA06 ,  5F073CA05 ,  5F073EA03 ,  5F073FA02 ,  5F073FA13 ,  5F073GA12