半導体プラズマ処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：竹内澄夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997311051
Publication number (International publication number)：1999135438
Application date： Oct. 28, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】一様で,安定かつ高密度なプラズマを生成する誘導結合プラズマ処理装置を与える。【解決手段】被処理体をプラズマによって処理する半導体プラズマ処理装置は,被処理体を内部で処理するための排気された反応室と,反応室内部にあって,複数の直線状導体から成るアンテナと,複数の直線状導体の一端に接続されたRF高周波電源とから成る。当該アンテナは,互いに等間隔にアンテナの中心から放射状に配置された少なくとも3本の直線状導体から成り,該直線状導体の各々は一端が接地され他端が前記RF高周波電源に接続されている。また当該アンテナの直線状導体の表面は絶縁処理されている。さらに,本発明にかかるプラズマ処理装置は,誘導電場と直交する方向に磁場を発生させるための電磁石から成る。

Claim (excerpt)：

被処理体をプラズマによって処理する半導体プラズマ処理装置であって,前記被処理体を内部で処理するための排気された反応室と,前記反応室内部にあって,複数の直線状導体から成るアンテナと,前記複数の直線状導体の一端に接続されたRF高周波電源と,から成る半導体プラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/205 , H05H 1/46 L , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

プラズマCVD装置及び方法並びにドライエッチング装置及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-288117 Applicant：アネルバ株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-351309 Applicant：東京エレクトロン株式会社
マグネトロン型誘導結合方式放電反応装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-020219 Applicant：三菱重工業株式会社

Show all

Return to Previous Page