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J-GLOBAL ID：200903066114132612

結晶性チタニウムシリケートおよびその製造方法

Inventor：
江上 和孝

About 江上 和孝


Applicant, Patent owner：
触媒化成工業株式会社

About 触媒化成工業株式会社


Agent (1)： 友松 英爾 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996313077
Publication number (International publication number)：1998139432
Application date： Nov. 08, 1996
Publication date： May. 26, 1998
Summary：
【要約】【課題】 (1)高いイオン交換能発現係数を有し、(2)骨格外のTiO2が実質的に存在せず、(3)チタン含有量の高い、結晶性チタニウムシリケート及びその製造方法の提供。【解決手段】1.下式(1)で表わされるイオン交換能発現係数Zが0.75〜1.0であることを特徴とする結晶性チタニウムシリケート。【数1】2.実測のイオン交換容量(y)が0.25〜3.0ミリ等量/gである結晶性チタニウムシリケート。
Claim (excerpt)：
下式(1)で表されるイオン交換能発現係数Zが0.75〜1.0であることを特徴とする結晶性チタニウムシリケート。【数1】但し、計算上のイオン交換容量(Y)は次式(2)により計算された値【数2】X:結晶性チタニウムシリケート1g中のTiO2含有量(グラム)80:二酸化チタンの分子量1000:等量をミリ等量に換算するための係数
IPC (4)：
C01G 23/00 ,  B01J 39/14 ,  C01B 33/36 ,  C01B 39/00
FI (4)：
C01G 23/00 C ,  B01J 39/14 ,  C01B 33/36 ,  C01B 39/00
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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