Pat
J-GLOBAL ID：200903066116890352
シリコン系薄膜光電変換装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999151847
Publication number (International publication number)：2000058892
Application date： May. 31, 1999
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 プラズマCVD法による低温プロセスを用いて形成される結晶質シリコン系薄膜光電変換層を含む光電変換装置の低コスト化と高性能化を図る。【解決手段】 シリコン系薄膜光電変換装置は、基板1、光反射性金属膜102を有する裏面電極10、少なくとも1つのシリコン系光電変換ユニット11、および前面透明電極2を含み、光反射性金属膜102および前面透明電極2の少なくとも一方はシリコン系光電変換ユニット側の面において表面凹凸形状を有し、凹凸の高低差が0.01〜2μmの範囲内にあるとともに、凹凸のピッチが高低差より大きくかつその25倍以下の範囲内にある。
Claim (excerpt)：
基板、光反射性金属膜を有する裏面電極、少なくとも1つのシリコン系光電変換ユニット、および前面透明電極を含み、前記光反射性金属膜および前記前面透明電極の少なくとも1つはシリコン系光電変換ユニット側の面において表面凹凸構造を有し、凹凸の高低差が0.01〜2μmの範囲内にあるとともに、凹凸のピッチが前記高低差より大きくかつその25倍以下の範囲内にあることを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置。
FI (2)：
H01L 31/04 F
, H01L 31/04 M
