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J-GLOBAL ID：200903066116985582

ポジ型レジスト組成物

Inventor： 漢那 慎一 ,  水谷 一良 ,  児玉 邦彦 ,  佐々木 知也
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002362629
Publication number (International publication number)：2003241386
Application date： Dec. 13, 2002
Publication date： Aug. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】 160nm以下、特にF2エキシマレーザー光(157nm)の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には157nmの光源使用時に十分な透過性を示し、デフォーカスラチチュードが広く、ラインエッジラフネスが発生し難く、現像液で現像した際にレジスト膜が実質的に完全に溶解してネガ化の懸念がなく、ラインアンドスペースパターンの裾引きが小さいポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)ポリマー骨格の主鎖及び/又は側鎖にフッ素原子が置換した構造を有し、且つ酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する基を有するフッ素基含有樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する酸発生剤を含有し、且つ(B)酸発生剤が芳香環を有さないスルホニウム塩又はフェナシルスルホニウム塩構造を有する化合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)ポリマー骨格の主鎖及び/又は側鎖にフッ素原子が置換した構造を有し、且つ酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する基を有するフッ素基含有樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する酸発生剤を含有し、且つ(B)酸発生剤が芳香環を有さないスルホニウム塩又はフェナシルスルホニウム塩構造を有する化合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (2)：

G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (17)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 国際公開第00/17712号パンフレット(WO-00/17712号)
  
• 欧州特許出願公開第1041442A1号明細書
  
• 欧州特許出願公開第1113334A1号明細書
  
• 欧州特許出願公開第1207423A1号明細書