Pat
J-GLOBAL ID：200903066119276779
均一性の高いスピネルLi▲下1+X▼Mn▲下2-X▼O▲下4▼層間化合物及びその作成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
奥山 尚男 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997521350
Publication number (International publication number)：2000501688
Application date： Dec. 02, 1996
Publication date： Feb. 15, 2000
Summary：
【要約】4Vのリチウム二次電池およびリチウムイオン二次電池用の低格予歪み及び規則性が高く、均一な構造のスピネルLi1+XMn2-XO4層間化合物を製造する新規な方法が提供されている。スピネルLi1+XMn2-XO4層間化合物を製造する新規な方法は、少なくとも一つのマンガン化合物を少なくとも一つのリチウム化合物と混合し、対応するガス流量の3通りの異なる温度範囲で混合物を焼成して、スピネルLi1+XMn2-XO4層間化合物を生成することからなる。スピネルLi1+XMn2-XO層間化合物は、約0.01から0.05の間の平均のX値を有し、かつCuKα1線を使用して(400)と(440)面の回折角度2θでのX線回折ピークで約0.1°と0.15°の間の半値全幅を有する。このスピネルLi1+XMn2-XO4層間化合物はリチウム二次電池およびリチウムイオン二次電池の正電極に使用され、高い比容量と長いサイクル寿命を有する電池が提供される。
Claim (excerpt)：
(a)マンガン塩及びマンガン酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一つのマンガン化合物をリチウム塩及びリチウム酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一つのリチウム化合物と混合し、(b)工程(a)からの混合物を流速が約0.5 l/ghと5.0 l/ghの間の流量のガス流の存在下で約400°Cと500°Cの間の温度で焼成して、酸素リッチのスピネルを生成し、(c)工程(b)からの酸素リッチのスピネルを、流速が約0.1 l/ghと1.0 l/ghの間の流量のガス流の存在下で約500°Cと600°Cの間の温度で焼成し、歪んだLi1+XMn2-XO4スピネルを生成し、(d)工程(c)からの歪んだ化学量論的Li1+XMn2-XO4スピネルを流速が約0.005 l/ghと0.2 l/ghの間の流量のガス流の存在下で700°Cと800°Cの間の温度で焼成し、規則的な化学量論的Li1+XMn2-XO4スピネルを生成することからなるスピネルLi1+XMn2-xO4層間化合物を製造する方法。
IPC (4)：
C01G 45/00
, H01M 4/02
, H01M 4/04
, H01M 4/58
C01G 45/00
, H01M 4/02 C
, H01M 4/04 A
, H01M 4/58
