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J-GLOBAL ID：200903066121673440

化合物半導体装置及びその製造方法

Inventor： 今西 健治
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995099189
Publication number (International publication number)：1996293505
Application date： Apr. 25, 1995
Publication date： Nov. 05, 1996
Summary：

【要約】【目的】 化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ヘテロ接合界面におけるキャリアの枯渇を低減し、積層方向の直列抵抗を低減する。【構成】 一導電型Alx Iny Ga1-x-y P層4とその上に設けたAsを含む一導電型III-V族化合物半導体層6との界面に、拡散係数の小さな一導電型の導電型決定不純物のプレーナドーピング層5を設ける。

Claim (excerpt)：

一導電型Alx Iny Ga1-x-y P層とその上に設けたAsを含む一導電型III-V族化合物半導体層との界面に、拡散係数の小さな一導電型の導電型決定不純物のプレーナドーピング層を設けたことを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/80 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-060594   Applicant：富士通株式会社
• 化合物半導体装置およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-291680   Applicant：ローム株式会社
• 特開昭61-248479