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J-GLOBAL ID：200903066133123179

ショットキー電極、ショットキー電極の形成方法、半導体素子、及び半導体素子の製造方法

Inventor： 昌原 鎬
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998259951
Publication number (International publication number)：2000106444
Application date： Sep. 14, 1998
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、耐熱性の優れたショットキー電極、耐熱性の優れたショットキー電極の形成方法、耐熱性の優れたショットキー電極を備えた半導体素子及びその製造方法を提供することが課題である。【解決手段】 SiCからなる半導体1と、半導体1上に形成されたNiを含むショットキー電極3と、からなる。

Claim (excerpt)：

SiCからなる半導体と、該半導体上に形成されたNiを含むショットキー電極と、を備えたことを特徴とするショットキー電極。

IPC (4)：

H01L 29/872 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (4)：

H01L 29/48 D ,  H01L 21/28 301 F ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/80 M

F-Term (19)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104CC03 ,  4M104DD33 ,  4M104DD34 ,  4M104DD79 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  4M104HH20 ,  5F102FA04 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21