Pat

J-GLOBAL ID：200903066138740257

半導体記憶装置

Inventor： 望月 義夫 ,  加藤 秀雄 ,  浅野 正通 ,  中井 弘人 ,  徳重 芳
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992244339
Publication number (International publication number)：1994096593
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【構成】本発明の半導体記憶装置は電源電圧を昇圧し昇圧出力電圧を発生させる昇圧手段と、昇圧出力電圧を検知し検知信号を出力する検知手段と、検知信号に応じて昇圧手段を制御する昇圧制御手段とからなる高電圧発生回路を具備する。【効果】本発明を用いると、消費電力を抑えたまま、書き込み及び消去を高速に行うことができる。また、書き込み電流の低減、ビット線の充電時間(プリチャージ時間)の短縮及び外部高電圧電源の変動に対する安定性の向上という効果がある。

Claim (excerpt)：

電源電圧を昇圧し昇圧出力電圧を発生させる昇圧手段と、前記昇圧出力電圧を検知し検知信号を出力する検知手段と、前記検知信号に応じて前記昇圧手段を制御する昇圧制御手段とからなる高電圧発生回路を具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3)：

G11C 17/00 309 D ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭62-197998
  
• 特開平1-149299
  
• 特開昭60-107798
  
• 特開昭62-197998
  
• 特開平1-149299
  
• 特開昭60-107798