Pat

J-GLOBAL ID：200903066144237850

ドライエッチング方法

Inventor： 佐藤 淳一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996011264
Publication number (International publication number)：1997205078
Application date： Jan. 25, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 マスク材との選択比を確保することができ、被エッチング材料が再付着することがなく、しかもエッチングが速やかに進んでレジストマスクが十分に耐え得るドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 分子内にカルボニル基またはカルボキシル基を有する化合物を含む雰囲気中においてNi系金属薄膜をプラズマエッチングする。ここで、Ni系金属薄膜がNi薄膜であること、又、Ni-Fe合金薄膜であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

分子内にカルボニル基またはカルボキシル基を有する化合物を含む雰囲気中においてNi系金属薄膜をプラズマエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  G11B 5/39

FI (5)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  C23F 4/00 G ,  C23F 4/00 D ,  G11B 5/39