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J-GLOBAL ID：200903066145773047

プラズマCVDによる薄膜形成方法

Inventor： 藤本 健治
Applicant, Patent owner： 東燃株式会社
Agent (1)： 久保田 耕平 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992320032
Publication number (International publication number)：1994168886
Application date： Nov. 30, 1992
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 形成された薄膜内に不純物や欠陥の少ない膜質均一な薄膜を簡便に製膜できるプラズマCVDによる薄膜形成方法を提供すること。【構成】 密閉された製膜室11内に原料ガスを供給しこれをプラズマ化して基板14上に単結晶シリコン等の薄膜を製膜する方法であって、製膜工程途中において上記原料ガスの供給を停止することなく製膜室11内を排気して製膜中に発生した粉状の浮遊異物(原料ガス同志の反応によって生成された薄膜材料の粉状体など)を排除する排気工程を付加したことを特徴とする。そしてこの排気工程中、製膜処理は中断することなく継続しているため膜特性の異なる界面が薄膜内に形成されなくなりその厚み方向の膜質を均一にすることが可能となり、かつ、浮遊異物も排除されこの浮遊異物が製膜途上の薄膜内に混入される可能性も少なくなるため薄膜内における不純物や欠陥の低減が図れる。

Claim (excerpt)：

密閉された製膜室内に原料ガスを供給しこれをプラズマ化して基板上に製膜するプラズマCVDによる薄膜形成方法において、製膜工程途中において上記原料ガスの供給を停止することなく製膜室内を排気して製膜中に発生した粉状の浮遊異物を排除する排気工程を付加したことを特徴とするプラズマCVDによる薄膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44