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J-GLOBAL ID：200903066150693400

圧電磁器

Inventor： 古川 正仁 ,  堀野 賢治 ,  五木田 佳子 ,  室澤 尚吾
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 三反崎 泰司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001242181
Publication number (International publication number)：2002326870
Application date： Aug. 09, 2001
Publication date： Nov. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】 圧電特性を向上させることができる圧電磁器を提供する。【解決手段】 (Na<SB>0.5 </SB>Bi<SB>0.5 </SB>)TiO<SB>3 </SB>などの菱面晶系ペロブスカイト構造化合物と、BaTiO<SB>3 </SB>,(K<SB>0.5 </SB>Bi<SB>0.5 </SB>)TiO<SB>3 </SB>などの正方晶系ペロブスカイト構造化合物と、SrTiO<SB>3 </SB>などの立方晶系ペロブスカイト構造化合物とを含む。結晶構造の異なる3種類の化合物により圧電特性が向上されるようになっている。これらは完全に固溶していてもしていなくてもよい。これらの組成比、菱面晶系ペロブスカイト構造化合物a,正方晶系ペロブスカイト構造化合物bおよび立方晶系ペロブスカイト構造化合物cは、a+b+c=1,0.60≦a≦0.99,0<b≦0.20,0<c≦0.20をそれぞれ満たす範囲内の値であることが好ましい。

Claim (excerpt)：

菱面晶系ペロブスカイト構造化合物と、正方晶系ペロブスカイト構造化合物と、立方晶系ペロブスカイト構造化合物とを含むことを特徴とする圧電磁器。

IPC (3)：

C04B 35/46 ,  C04B 35/49 ,  H01L 41/187

FI (3)：

C04B 35/46 J ,  C04B 35/49 Z ,  H01L 41/18 101 J

F-Term (7)：

4G031AA01 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA35 ,  4G031BA10 ,  4G031CA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 圧電セラミックス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-242113   Applicant：株式会社豊田中央研究所