液浸露光用レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛 , 濱田百合子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004041671
Publication number (International publication number)：2005234119
Application date： Feb. 18, 2004
Publication date： Sep. 02, 2005
Summary：

【課題】液浸露光によるパターン形成において、現像欠陥が低減され、プロセスウインドウが広いポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)ガラス転移温度が120°C〜180°Cである、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)溶剤を含有する液浸露光用レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(A)ガラス転移温度が120°C〜180°Cである、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)溶剤を含有する液浸露光用レジスト組成物。

IPC (3)：

G03F7/039 , G03F7/033 , H01L21/027

FI (3)：

G03F7/039 601 , G03F7/033 , H01L21/30 502R

F-Term (16)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AB14 , 2H025AB15 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CB55 , 2H025CB56 , 2H025FA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特公昭57-153433号公報
パターン形成方法及びその露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-008136 Applicant：株式会社日立製作所
液浸型露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-121757 Applicant：株式会社ニコン

Cited by examiner (5)

放射線感光材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-276597 Applicant：富士通株式会社
特開平3-223867
化学増幅型ホトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-134879 Applicant：エバーライトユーエスエーインコーポレイティッド

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