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J-GLOBAL ID：200903066155295070
位相シフトマスク及びパターン形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991055878
Publication number (International publication number)：1993313342
Application date： Feb. 27, 1991
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 位相シフト技術の利点を生かしてパターン形成を行う。【構成】 本発明の島状パターン形成用位相シフトマスクは、マスクパターンの配列の一方向には同一位相の光が透過し、配列の他の方向には位相が交互に変化する光が透過する構成に位相シフト部を配置したことによって、また、パターンの配列の一方向には同一位相の光が照射され、配列の他の方向には位相が交互に変化する光が照射される構成にしたことによって、島状パターンが配列されて成るパターンの形成においても、効果的に位相シフト技術を用いることができ、位相シフト技術の利点を生かすことができるようにしたもの。
Claim (excerpt)：
島状のパターンが配列されて成るパターンを形成するパターン形成用位相シフトマスクにおいて、マスクパターンの配列の一方向には同一位相の光が透過し、配列の他の方向には位相が交互に変化する光が透過する構成に位相シフト部を配置したことを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
Cited by examiner (7)
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