窒化物半導体素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997246665
Publication number (International publication number)：1999087771
Application date： Sep. 11, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】発光強度のより向上した、更に高温高湿条件下での長期間の使用によってもショートが起こらない信頼性の高い窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】基板11と、基板上に少なくとも順に積層形成されたn型層12及びp型層13と、該p型層上に設けられたp電極23と、前記p型層側から上記n型層に達する第一の凹部301と、該第一の凹部に露出したn型層上に設けられたn電極14と、前記p型層側から上記基板に達する第二の凹部302とを有し、更に前記第二の凹部の基板露出面304が、n型層と基板との界面より下方にあり、p電極及びn電極の各ボンディング面を除いてp電極及びn電極から第二の凹部まで連続して絶縁膜24が形成されている。

Claim (excerpt)：

基板と、基板上に少なくとも順に積層形成されたn型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層と、該p型窒化物半導体層上のほぼ全面に設けられたp電極と、前記p型窒化物半導体層側から上記n型窒化物半導体層に達する第一の凹部と、該第一の凹部に露出したn型窒化物半導体層上に設けられたn電極と、前記p型窒化物半導体層側から上記基板に達する第二の凹部とを有する窒化物半導体素子であって、前記第二の凹部の基板露出面が、n型窒化物半導体層と基板との界面より下方にあり、p電極及びn電極の各ボンディング面を除いてp電極及びn電極から第二の凹部まで連続して絶縁膜が形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

端面発光型発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-328990 Applicant：株式会社リコー
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-349964 Applicant：豊田合成株式会社
半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-338554 Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社

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