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J-GLOBAL ID：200903066172070333
半導体薄膜磁気抵抗素子の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997136387
Publication number (International publication number)：1998326921
Application date： May. 27, 1997
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：
【要約】【課題】 回転・変位検出等に用いられる半導体薄膜磁気抵抗素子に関し、高温下での安定動作を保証するとともに、高磁気感度を保持するための素子の製造方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板1上に単結晶Si薄膜2を形成したSOS基板3上に良質な結晶性をもつ高電子移動度InSb薄膜4を形成し、素子列5状に加工すると共に、素子列5上に短絡電極6を形成した構造の半導体薄膜磁気抵抗素子8を構成する。この構成において、単結晶Si薄膜2を薄層化するか、あるいは素子列5以外の領域において、Si薄膜2を除去するか、Si薄膜2の少なくとも表面を酸化させるか、Si薄膜2を完全に酸化させるか、Si薄膜2の導電型を素子列形成部のSi薄膜と異なる型にすること等で、素子を高抵抗化でき、高磁気感度、高耐熱性の半導体薄膜磁気抵抗素子を実現できる。
Claim (excerpt)：
サファイア基板上に単結晶Si薄膜を形成した基板上に、高電子移動度半導体薄膜を形成する工程と、該高電子移動度半導体薄膜を列状に加工する工程と、該高電子移動度半導体薄膜上に複数の梯子段状の短絡電極を形成する工程を具備した半導体薄膜磁気抵抗素子の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 43/12
, H01L 21/203 Z
