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J-GLOBAL ID：200903066179553097

半導体装置の過熱保護回路

Inventor： 川上 浩之
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993173501
Publication number (International publication number)：1995030390
Application date： Jul. 14, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】過熱保護回路に温度センサの故障検知機能を持たせることにより、過熱保護動作の信頼性を向上する。【構成】半導体装置としてのスイッチングパワ-半導体素子2の温度を温度センサ5により監視してスイッチングパワ-半導体素子の過熱を防止するものにおいて、負性抵抗特性を有する温度センサ5を1つのア-ムとする抵抗ブリッジ12,およびこの抵抗ブリッジの一対の直列ア-ムの中点間A,Bに接続されて不平衡電圧を検出するコンパレ-タ13からなる過熱検出回路11に、抵抗ブリッジ12に並列に接続された第3の直列抵抗ア-ム22、および中点A,C間の不平衡電圧を検出する第2のコンパレ-タ23からなる故障検出回路21を付加し、温度センサを含むア-ムがオ-プンしたときコンパレ-タ23がオン信号を発する。

Claim (excerpt)：

ブリッジ結線されて直流電力を交流電力に変換して出力するインバ-タ回路を構成するスイッチングパワ-半導体素子の温度を、そのパッケ-ジ内に収納された温度センサにより監視してスイッチングパワ-半導体素子の過熱を防止するものにおいて、負性抵抗特性を有する前記温度センサの抵抗値の変化により前記スイッチングパワ-半導体素子の過熱を検出する過熱検出回路と、前記温度センサを含む回路の抵抗値の急増を監視して温度センサの異常を検出する故障検出回路と、過熱検出回路および故障検出回路の出力信号を受けてスイッチングパワ-半導体素子の過熱保護とその報知信号,あるいは温度センサの故障報知信号を出力する保護回路とを備えてなることを特徴とする半導体装置の過熱保護回路。