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J-GLOBAL ID：200903066188370620

表面発光型レーザーダイオード

Inventor： ケツク、アントン ,  ゴルニーク、エーリツヒ
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1994512643
Publication number (International publication number)：1996503816
Application date： Nov. 24, 1993
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】活性層(3)を接触層(2、4)の間に備え、かつ垂直方向の共振条件のために設けられた反射鏡(9、19)を備えた表面発光型レーザーダイオードにおいて、半導体材料の表面が表面プラズモンポラリトンの励起のために設けられた立体的な周期構造を備えかつ薄い金属膜(5)で覆われている。

Claim (excerpt)：

活性層(3)と作動電流を印加するための接触部(7、8)とを備えた半導体材料からなる表面発光型レーザーダイオードであって、活性層(3)と反対側の半導体材料表面に立体的な周期構造を備え、少なくともこの構造を備えたこの表面領域に金属膜(5)が設けられ、この構造の高さ(h)及びこの構造のそれぞれ1周期の長さ(Lg)、この金属膜(5)から活性層(3)までの最小間隔(a)及び金属膜(5)の厚さ(d5)が、レーザーダイオードの作動時に活性層(3)と反対側の金属膜(5)の表面に表面モードが活性層(3)に生じた光子によって励起されるように設定されているものにおいて、この周期構造と反対側の活性層(3)の面に縦型共振器を形成するための反射鏡(9)が単一層或いは複層構造として設けられていることを特徴とする表面発光型レーザーダイオード。