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J-GLOBAL ID：200903066191846873
半導体圧力センサ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992312079
Publication number (International publication number)：1994163939
Application date： Nov. 20, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 単一のダイアフラムに、ピエゾ抵抗型半導体圧力センサと容量型半導体圧力センサの感圧機能を持たせることにより、ピエゾ抵抗部分での広範囲の圧力測定と、容量部分での、特定圧力範囲の微細な圧力変化の高精度の測定ができる、コンパクトな半導体圧力センサを提供する。【構成】 単一の薄肉ダイアフラム109上に、ピエゾ抵抗型半導体圧力センサの感圧部となるピエゾ抵抗(図示されていない)及びそれらを接続する低抵抗領域104bと、容量型半導体圧力センサの平板コンデンサの可動電極114となる低抵抗領域104aとを設け、ダイアフラム119上の空隙110を介して、平板コンデンサの固定電極113となるポリシリコン電極106aを設けたものである。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記基板に形成されたダイアフラムと、前記ダイアフラムに形成されたピエゾ抵抗型半導体圧力センサのピエゾ抵抗と、前記ダイアフラムに形成された容量形半導体圧力センサのコンデンサの可動電極と、前記コンデンサの可動電極と電気的に絶縁して形成された前記容量形半導体圧力センサのコンデンサの固定電極とを有することを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
