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J-GLOBAL ID：200903066209679740

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 野上 毅
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992349314
Publication number (International publication number)：1994204349
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】コンタクト孔への埋め込み特性が良好で、配線工程が簡略化できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】配線材料の少なくとも一部としてガリウムを含むアルミニウム合金を用いることにより、アルミニウム合金の低温フロー性を向上させ、コンタクトホール,ビアホールへのアルミニウム合金の埋め込みを良好にした。しかも下地処理が不要で配線工程が簡単である。

Claim (excerpt)：

半導体基板上もしくは下層配線上の絶縁膜にコンタクト孔を有し、該コンタクト孔を介して当該半導体基板もしくは下層配線と接続する上層配線を備えた半導体装置において、前記配線の少なくとも一部の配線材料に、ガリウムを含むアルミニウム合金を用いたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/3205