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J-GLOBAL ID：200903066214282433

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 原田 裕次 ,  渡辺 淳 ,  畠山 潤 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  大谷 充孝 ,  宮澤 覚 ,  堤 憲太郎 ,  前田 一彦
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001047468
Publication number (International publication number)：2002249520
Application date： Feb. 23, 2001
Publication date： Sep. 06, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】 (1)で示される基を有する高分子化合物。(R1はフッ素原子又はフッ素化アルキル基、R2は水素原子又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状アルキル基。R3、R4は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状アルキル基又はフッ素化たアルキル基。R3、R4は環を形成してもよく、その場合はそれぞれ炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状アルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基。a、bは0〜2の整数、cは1〜3の整数であり、a+b+c=3である。kは1〜5の整数、k’は0〜4の整数であり、k+k’=5である。)【効果】 レジスト材料として、高エネルギー線、特に170nm以下の波長のものに対する感度が優れ、含フッ素芳香環の導入によりプラズマエッチング耐性が向上し、同時に優れた解像性を有する。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される基を有する高分子化合物。【化1】(式中、R1はフッ素原子又はフッ素化されたアルキル基であり、R2は水素原子又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。R3、R4は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R3、R4は環を形成してもよく、その場合はそれぞれ炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基を表す。a、bは0〜2の整数、cは1〜3の整数であり、a+b+c=3である。kは1〜5の整数、k’は0〜4の整数であり、k+k’=5である。)

IPC (7)：

C08F 20/16 ,  C08F 22/14 ,  C08F 32/00 ,  C08F 34/00 ,  C08L101/08 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (7)：

C08F 20/16 ,  C08F 22/14 ,  C08F 32/00 ,  C08F 34/00 ,  C08L101/08 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (77)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  4J002AA051 ,  4J002BG031 ,  4J002BG081 ,  4J002BH021 ,  4J002BK001 ,  4J002ED058 ,  4J002EH148 ,  4J002EJ018 ,  4J002EJ038 ,  4J002EJ048 ,  4J002EJ058 ,  4J002EL068 ,  4J002EL088 ,  4J002EN027 ,  4J002EN037 ,  4J002EN047 ,  4J002EN067 ,  4J002EN077 ,  4J002EN107 ,  4J002EN117 ,  4J002EN127 ,  4J002EP017 ,  4J002EU027 ,  4J002EU037 ,  4J002EU047 ,  4J002EU057 ,  4J002EU077 ,  4J002EU117 ,  4J002EU127 ,  4J002EU137 ,  4J002EU147 ,  4J002EU227 ,  4J002EU237 ,  4J002EV216 ,  4J002EV237 ,  4J002EV246 ,  4J002EV266 ,  4J002EV296 ,  4J002EV306 ,  4J002EV327 ,  4J002FD206 ,  4J002FD208 ,  4J002GP03 ,  4J100AL08P ,  4J100AL26P ,  4J100AL46P ,  4J100AL51P ,  4J100AR04P ,  4J100AR09P ,  4J100AR11P ,  4J100AR36P ,  4J100BA11P ,  4J100BA15P ,  4J100BA20P ,  4J100BB07P ,  4J100BB18P ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC43P ,  4J100CA01 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭64-049039
  
• 特開平2-045509