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J-GLOBAL ID：200903066219433162

酸化インジウム-酸化錫スパッタリングターゲットの製造法

Inventor： 町野 毅 ,  杉原 忠
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 富田 和夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992181850
Publication number (International publication number)：1994002124
Application date： Jun. 16, 1992
Publication date： Jan. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】 液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置の透明電極、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサーなどに用いられるインジウム-錫酸化物透明導電膜を作製するためのスパッタリング用ターゲットの製造法に関する。【構成】 Snが固溶した酸化インジウム粉末、または酸化インジウム粉末および酸化錫粉末からなる混合粉末を、650〜1100°Cで真空熱処理したのちCIP成形し、ついで1200〜1700°Cで大気中焼結するITOスパッタリングターゲットの製造法。

Claim (excerpt)：

Snが固溶した酸化インジウム粉末を、真空中、温度:650〜1100°Cで熱処理したのち解砕し、得られた解砕粉末を冷間静水圧プレス成形し、ついで温度:1200〜1700°Cで大気中焼結することを特徴とする酸化インジウム-酸化錫スパッタリングターゲットの製造法。