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J-GLOBAL ID：200903066226923515

半導体素子冷却機構

Inventor： 鈴木 正夫 ,  佐野 正行
Applicant, Patent owner： 株式会社リョーサン
Agent (1)： 吉原 省三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995186688
Publication number (International publication number)：1997017926
Application date： Jun. 30, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【目的】 半導体素子の発熱を有効に利用し、かつ稼動コストを減少させる。【構成】 半導体素子1を電気式冷却手段4により冷却する半導体素子冷却機構において、熱発電素子2を用いて、半導体素子1の発熱から熱起電力を得、その熱起電力により前記電気式冷却手段4を稼動させる。

Claim (excerpt)：

半導体素子を電気式冷却手段により冷却する半導体素子冷却機構において、熱発電素子を用いて、半導体素子の発熱から熱起電力を得、その熱起電力により前記電気式冷却手段を稼動させることを特徴とする半導体素子冷却機構。

IPC (2)：

H01L 23/467 ,  H01L 23/38

FI (2)：

H01L 23/46 C ,  H01L 23/38