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J-GLOBAL ID：200903066247757755

半導体基板、半導体装置及びそれらの製造方法

Inventor： 田中 滋久 ,  西村 信治 ,  鷹野 秀明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  光技術研究開発株式会社
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993287867
Publication number (International publication number)：1995142386
Application date： Nov. 17, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】材質の異なる二種の半導体基体が互いに接着した、高信頼性の、かつ、特性の劣化のない半導体基板を提供すること。【構成】第1の半導体基体であるSi基板(2)と、これと材質の異なる第2の半導体基体(InP基板(3)、GaAs基板(4))とを、GaSe(1)のようにファンデルワールス力で各層が結合する層状物質の薄膜層により接着した半導体基板。各基体上にそれぞれ適切な半導体素子が設けられる。薄膜層として、GaSe(1)の他に、GaS、MoS2、MoSe2等の層状カルコゲン化合物又はSe、Te等が用いられる。

Claim (excerpt)：

第1の半導体基体と、該第1の半導体基体上の所望の部分に、ファンデルワールス力で各層が結合する層状物質の薄膜層を介して設けられた、第1の半導体基体と材質の異なる第2の半導体基体とよりなることを特徴とする半導体基板。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-194519
  
• 特開昭61-183914
  
• 特開昭61-182256