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J-GLOBAL ID：200903066248112170

半導体装置の製造方法

Inventor： 岩本 泰彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996226579
Publication number (International publication number)：1998070194
Application date： Aug. 28, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 npnトランジスタと縦型pnpトランジスタを有する半導体装置の製造方法において、工程の削滅およびpnpトランジスタのエミッタの濃度プロファイルの制御性を向上させ、安定した特性と、高い歩留まりを確保する。【解決手段】 npnトランジスタとpnpトランジスタのエミッタ開孔を同時に達成した後、多結晶シリコン膜13を形成した後、エッチバックを行い、開孔部のみに選択的に多結晶シリコンを残して平坦化することで、イオン注入によるpnpトランジスタのエミッタの濃度プロファイルを均一に形成することができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板(1)に縦型pnpトランジスタ分離用の第2導電型の第1の領域(6)と、npnトランジスタの高濃度コレクタ領域となる第2導電型の第2の領域(3)を形成する工程と、前記第2導電型の第1の領域(6)内に縦型pnpトランジスタの高濃度コレクタ領域となる第1導電型の第1の領域(8)と、前記第2導電型の第2の領域(3)内に第1導電型の第2の領域(4)を形成する工程と、前記第1導電型の第1の領域(8)内に第2導電型の第3の領域(9)を形成する工程と、前記第1導電型の第2の領域(4)と前記第2導電型の第3の領域(9)を含む半導体基板全面に、単層もしくは複数層の絶縁膜(12)を形成する工程と、前記第1導電型の第2の領域(4)と、前記第2導電型の第3の領域(9)上の絶縁膜(12)の所定領域にそれぞれ開孔(H)を形成し、該開孔(H)部分に半導体基板を露出させる工程とを含む、npnトランジスタと縦型pnpトランジスタを有する半導体装置の製造方法において、前記開孔(H)部分のみに選択的に、第2の導電型の不純物を含む多結晶シリコン(27)を導入する工程と、前記第2導電型の第3の領域(9)の所定領域に形成した第2の導電型の不純物を含む多結晶シリコンが導入された開孔(H)のみに第1導電型の不純物を導入し、第2導電型の多結晶シリコンを第1導電型とする工程と、前記開孔(H)部分のみに形成された前記第2導電型の多結晶シリコンと、前記第1導電型の多結晶シリコンを拡散ソースとして、前記第1導電型の第2の領域(4)と前記第2導電型の第3の領域(9)に、それぞれ、第2導電型の第4の領域(18)と第1導電型の第3の領域(19)を、熱処理により不純物を熱拡散して形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/8228 ,  H01L 27/082 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (3)：

H01L 27/08 101 C ,  H01L 27/06 321 B ,  H01L 29/72