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J-GLOBAL ID:200903066253389970
透明導電膜とその製造方法およびそれに用いるターゲット
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
佐藤 隆久 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992355858
Publication number (International publication number):1994128743
Application date: Dec. 18, 1992
Publication date: May. 10, 1994
Summary:
【要約】【目的】 プラズマ耐性に優れ、表面に何らかの機能薄膜がプラズマCVD法などで成膜されたとしても、材質の劣化がほとんどなく、透明性に優れ、低抵抗で、経済性に優れた透明導電膜およびその製造方法とそれに用いるターゲットを提供すること。【構成】 酸化亜鉛系の透明導電膜(4,12)であり、Alが0.4〜4.5原子%含まれ、かつV,Nb,Ta,Mo,W,Reのうちの一種以上が0.03〜1.0原子%含まれる。この透明導電膜を製造するには、V,Nb,Ta,Mo,W,Reのうちの一種以上の酸化物を0.1〜3重量%含有し、アルミニウム酸化物を0.5〜6重量%含有する酸化亜鉛系焼結体をターゲットとして、マグネトロンスパッタリング法を行い、基板上に、酸化亜鉛系の透明導電膜を成膜する。
Claim (excerpt):
酸化亜鉛系の透明導電膜であり、Alが0.4〜4.5原子%含まれ、かつV,Nb,Ta,Mo,W,Reのうちの一種以上が0.03〜1.0原子%含まれる透明導電膜。
IPC (10):
C23C 14/35
, C03C 4/14
, C04B 41/87
, C23C 14/08
, C23C 14/34
, H01B 5/14
, H01B 13/00 503
, H01L 21/285
, H01L 29/40
, H01L 31/04
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