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J-GLOBAL ID：200903066255486574

不揮発性メモリ

Inventor： 上田 敏晴
Applicant, Patent owner： 富士フイルムマイクロデバイス株式会社 ,  富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994041311
Publication number (International publication number)：1995248978
Application date： Mar. 11, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】 不意に電源の供給が断たれた際に記憶されているデータを保護することができる不揮発性メモリを提供することを目的とする。【構成】 データを記憶する第1のメモリ(5)と第2のメモリ(6)と、第1のメモリへのデータ書き込みを終了した後に第1の最新書き込み信号を生成する手段(1)と、第1のメモリに書き込みを行ったデータと同一のデータを第2のメモリに書き込みを行い、第2の最新書き込み信号を生成する手段(1)と、第1の最新書き込み信号が生成されると第1の最新書き込み信号を記憶し、第2の最新書き込み信号が生成されると第1の最新書き込み信号に代えて第2の最新書き込み信号を記憶するメモリ(8)と、最新書き込み信号がメモリに正常に記憶されたか否かを示すチェックコードを生成し記憶するメモリ(9)と、メモリに記憶されているチェックコードが正常であると判断したとき、メモリに記憶されている最新書き込み信号に応じて第1のメモリまたは第2のメモリからデータの読み出しを行う読み出し手段(1)とを有する。

Claim (excerpt)：

外部から供給されるデータを記憶する第1のメモリ(5)と第2のメモリ(6)と、前記第1のメモリにデータの書き込みを行う第1の書き込み手段(1)と、前記第1の書き込み手段が第1のメモリへのデータ書き込みを終了した後に第1の最新書き込み信号を生成する第1の最新書き込み信号生成手段と、前記第1の最新書き込み信号生成手段が第1の最新書き込み信号を生成した後に前記第1の書き込み手段が第1のメモリに書き込みを行ったデータと同一のデータを前記第2のメモリに書き込みを行う第2の書き込み手段(1)と、前記第2の書き込み手段が第2のメモリへのデータ書き込みを終了した後に第2の最新書き込み信号を生成する第2の最新書き込み信号生成手段と、前記第1の最新書き込み信号が生成されると古い情報に代えて第1の最新書き込み信号を記憶し、前記第2の最新書き込み信号が生成されると前記第1の最新書き込み信号に代えて第2の最新書き込み信号を記憶する最新書き込み信号メモリ(8)と、前記最新書き込み信号メモリに記憶されている第1または第2の最新書き込み信号が正常に記憶されたか否かを示すチェックコードを生成するチェックコード生成手段と、前記チェックコードが生成するチェックコードを記憶するチェックコードメモリ(9)と、前記チェックコードメモリに記憶されているチェックコードが正常であるか否かを調べるチェック手段と、前記チェック手段が正常であると判断したとき、前記最新書き込み信号メモリに第1の最新書き込み信号が記憶されていれば前記第1のメモリからデータの読み出しを行い、前記最新書き込み信号メモリに第2の最新書き込み信号が記憶されていれば前記第2のメモリからデータの読み出しを行う読み出し手段(1)とを有する不揮発性メモリ。

IPC (3)：

G06F 12/16 340 ,  G06F 12/16 310 ,  G11C 16/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 不揮発性メモリー領域の管理方式
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-237903   Applicant：富士通株式会社
• 特開平2-293950
  
• 特開平4-033030