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J-GLOBAL ID：200903066260307041

気体分子の整列保持方法および気体分子保持材料

Inventor： 北川 進 ,  小林 達生
Applicant, Patent owner： 京都大学長
Agent (3)： 清水 善▲廣▼ ,  阿部 伸一 ,  辻田 幸史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002367343
Publication number (International publication number)：2004196594
Application date： Dec. 18, 2002
Publication date： Jul. 15, 2004
Summary：

【課題】遷移金属カチオンとそれを連結する有機架橋配位子によって多孔性3次元構造を構成して細孔内に、常温常圧で気体の分子を、収容することができる配位高分子のその細孔内の空間を利用して気体分子を整列保持させる方法およびこのようにして気体分子が保持された材料を提供すること。【解決手段】本発明は、遷移金属カチオンとそれを連結する有機架橋配位子によって多孔性3次元構造を構成して細孔内に、常温常圧で気体の分子を、収容することができる配位高分子のその細孔内に気体分子を収容する際、有機架橋配位子の種類を選択して細孔入口寸法を所望する数値に設計することで気体分子を規則性を持って収容し、細孔内の空間を利用して気体分子を整列保持させる方法およびこの方法を利用して得られる気体分子保持材料である。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

遷移金属カチオンとそれを連結する有機架橋配位子によって多孔性3次元構造を構成して細孔内に、常温常圧で気体の分子を、収容することができる配位高分子のその細孔内に気体分子を収容する際、有機架橋配位子の種類を選択して細孔入口寸法を所望する数値に設計することで気体分子を規則性を持って収容し、細孔内の空間を利用して気体分子を整列保持させる方法。

IPC (1)：

C01B13/00

FI (1)：

C01B13/00

F-Term (8)：

4G042AA01 ,  4H048AA03 ,  4H048AB80 ,  4H048AB99 ,  4H048VA20 ,  4H048VA32 ,  4H048VA56 ,  4H048VB10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ガス貯蔵性有機金属錯体、その製造方法およびガス貯蔵装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-013696   Applicant：大阪瓦斯株式会社