シリコン系材料層の加工方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993286640
Publication number (International publication number)：1995142446
Application date： Nov. 16, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】側壁保護膜の除去が十分に、且つ効率よく行うことが可能なシリコン系材料層の加工方法を提供する。【構成】塩素系又は臭素系化学種と酸素系化学種とを生成し得るエッチング・ガスを用い、ゲート絶縁膜2上に形成されたポリサイド膜5に対してドライエッチングを行う。次に、酸素系ガスを用いたプラズマ処理を行い、レジスト・マスク7をアッシングするとともに、側壁保護膜8内部の炭素成分を除去し、さらに、側壁保護膜8を酸化して化学量論的に安定なSiO2 の組成に近づける。その後、上記変性した側壁保護膜8を希フッ酸溶液処理によって除去する。【効果】側壁保護膜が十分に除去できるので、ダストが低減でき、次工程にて形成される膜のカバレッジも改善できる。したがって、本発明を適用して半導体装置を製造すると、信頼性および歩留まりの向上を図ることができる。

Claim (excerpt)：

有機膜パターンをマスクとしてシリコン系材料層のドライエッチングを行う工程と、酸素系ガスを用いたプラズマ処理を行い、前記有機膜マスクを除去すると共に前記エッチング中に形成された側壁保護膜を変性させる工程と、変性された前記側壁保護膜を除去する工程とを有することを特徴とするシリコン系材料層の加工方法。

FI (3)：

H01L 21/302 J , H01L 21/302 F , H01L 21/302 H

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開平4-051520
特開平2-090521

Cited by examiner (4)

特開平4-051520
特開平2-090521
特開平4-051520

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