不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994294363
Publication number (International publication number)：1995211808
Application date： Nov. 29, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】高集積化に適し、内部昇圧動作及び低消費電力動作を可能にする。【構成】選択用MOSトランジスタSTとデータ記憶用MOSトランジスタとMTは、素子領域に形成される。トランジスタMTは、浮遊ゲート電極71A,71Bを有する。浮遊ゲート電極71A,71Bは、素子領域上において互いに離れ、フィールド領域上において互いに結合される。浮遊ゲート電極71Aとドレイン領域63との間には、トランジスタSTのゲート絶縁膜68よりも十分に薄いトンネル絶縁膜66のみが配置される。浮遊ゲート電極71BとトランジスタMTのチャネル領域との間には、トランジスタSTのゲート絶縁膜68よりも十分に薄いゲート絶縁膜66のみが配置される。素子領域において、制御ゲート電極75の形状は、浮遊ゲート電極71A,71Bの形状と等しい。

Claim (excerpt)：

素子領域とフィールド領域を有する半導体基板と、前記素子領域に形成される選択用MOSトランジスタと、前記素子領域に形成され、ソース領域、ドレイン領域、浮遊ゲート電極及び制御ゲート電極を有するデータ記憶用MOSトランジスタとを備え、前記浮遊ゲート電極は、前記ドレイン領域上の第1部分と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間の前記半導体基板上の第2部分とを有し、前記ドレイン領域と前記第1部分の間、及び前記半導体基板と前記第2部分との間には、それぞれ前記選択用MOSトランジスタのゲート絶縁膜の厚さよりも薄い絶縁膜のみが配置され、前記第1部分と前記第2部分は、前記素子領域上において互いに離れ、前記フィールド領域において互いに結合されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-084168
特開昭63-254770
特開平4-217373

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