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J-GLOBAL ID：200903066321262950

光活性を有する半導体基板金属膜研磨用組成物

Inventor： 横田 昌久 ,  高橋 秀明
Applicant, Patent owner： 旭化成株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000186640
Publication number (International publication number)：2002003825
Application date： Jun. 21, 2000
Publication date： Jan. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板上の金属膜を平坦化する工程において、金属膜を高速に研磨し、かつ金属膜/絶縁膜の研磨選択性および段差平坦性に優れ、スクラッチ、ディッシング等研磨面の欠陥の発生も抑制できる金属研磨用組成物およびそれを用いてなる半導体基板上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 金属研磨用組成物として、酸化チタンを含む研磨材を主成分とし、これに鉄(III)化合物および/またはバナジウム(III〜V)化合物を研磨促進剤および必要に応じて低結晶性微細セルロースを用い、使用するに当り活性光線を照射する。

Claim (excerpt)：

(A)光触媒性能を有する酸化チタン、および光触媒性能を有する酸化チタンとアルミナ、セリア、ゲルマニア、シリカ、チタニア、およびジルコニアから選ばれた少なくとも一種との複合材料、よりなる群から選ばれた少なくとも1種からなる研磨材、および(B)鉄(III)化合物および/またはバナジウム(III〜V)化合物を含む半導体基板金属膜研磨用組成物。

IPC (6)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306

FI (6)：

C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 B ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/306 M

F-Term (13)：

3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F043AA22 ,  5F043AA28 ,  5F043BB15 ,  5F043BB19 ,  5F043DD16 ,  5F043GG02