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J-GLOBAL ID：200903066324600392

プラズマ処理装置

Inventor： 長尾 泰明
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991196897
Publication number (International publication number)：1993039578
Application date： Aug. 07, 1991
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】パルス状マイクロ波を発生するマイクロ波発生手段と,プラズマ生成室と,プラズマ生成室を囲むソレノイドと, 基板が置かれる処理室と,基板にRFバイアスを印加するためのRF発生手段とを備えてなるECR型プラズマ処理装置を、RFバイアス印加時に基板に異常電圧が現れず、放電による基板損傷が確実に防止される装置とする。【構成】プラズマ発光を検出するプラズマ検出手段を設け、この検出手段の出力とRFバイアス印加とを同期させる装置とする。検出手段の出力をプラズマ発光強度に比例した電圧信号とする場合は、この出力を直接RF発生手段に入力し、あるいは出力電圧信号の大きさいかんにかかわらず、矩形波パルス発生器を介してRF発生手段に入力してプラズマとRFバイアス印加とを同期させる。

Claim (excerpt)：

パルス状のマイクロ波発生手段と、該マイクロ波の伝達手段と、該マイクロ波伝達手段と結合されて前記マイクロ波が導入されるとともに、ガス供給手段を介して供給されたガスを前記マイクロ波との共鳴効果によりプラズマ化して活性な原子, 分子またはイオンを生ぜしめるための磁力線を発生する励磁用ソレノイドを備え、かつ軸線が該ソレノイドが生じる磁力線束の中心軸と一致する開口を前記マイクロ波伝達手段と対向する側に有するプラズマ生成室と、該プラズマ生成室と前記開口を介して結合され該開口から前記磁力線に沿って流出する前記活性な原子, 分子またはイオンにより表面にエッチングが施されまたは薄膜が形成される基板が配される処理室と、該基板にRFバイアスを印加するためのRF発生手段と、前記プラズマ生成室と処理室との排気を行う真空排気手段とを備えたプラズマ処理装置において、前記パルス状のマイクロ波によって生じたプラズマの発光を検出するプラズマ検出手段が設けられ、該プラズマ検出手段の出力と同期してRF発生手段からRFバイアスが基板に印加されることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/302 ,  H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-130370
  
• 特開昭63-020484
  
• 特開昭62-228482