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J-GLOBAL ID：200903066337738881

酸化インジウム・酸化錫焼結体

Inventor： 高梨 昌二
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Agent (1)： 山本 正緒
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996304493
Publication number (International publication number)：1998147862
Application date： Nov. 15, 1996
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】 スパッタリング中の異常放電の発生及びノジュールの生成が少なく、特性の優れたITO膜を効率良く成膜することが可能な、スパッタリング用ターゲットの酸化インジウム・酸化錫焼結体を提供する。【解決手段】 インジウム、錫及び酸素を主成分とし、In2O3相及びIn2O3相中に錫元素が固溶された相の平均結晶粒径が2〜10μmの範囲内にあり、内部に存在する最大空孔径が3μm以下で、錫原子の最大凝集径が5μm以下である酸化インジウム・酸化錫焼結体。

Claim (excerpt)：

インジウム、錫及び酸素を主成分とする酸化インジウム・酸化錫焼結体において、In2O3相及びIn2O3相中に錫元素が固溶された相の平均結晶粒径が2〜10μmの範囲内にあり、且つ焼結体内部に存在する最大空孔径が3μm以下であって、錫原子の最大凝集径が5μm以下であることを特徴とする酸化インジウム・酸化錫焼結体。