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J-GLOBAL ID：200903066338923801
窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996012796
Publication number (International publication number)：1997214051
Application date： Jan. 29, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：
【要約】【目的】 劈開により活性層の端面に共振面が形成された窒化物半導体レーザ素子と、該レーザ素子の新規な製造方法を提供することにより、窒化物半導体をレーザ発振させる。【構成】 サファイア基板のA面にレーザ発振する活性層を有する窒化物半導体を成長させた後、前記基板をR面に沿って劈開し、その劈開と同時に得られ、基板のR面と異なる面で劈開された活性層の劈開面にレーザ光の共振面を作成することにより、活性層を含む窒化物半導体層は、基板と異なる方向で劈開され、しかも鏡面均一に劈開できるため、その窒化物半導体層を共振面とするとレーザ発振が可能となる。
Claim (excerpt)：
レーザ発振する活性層を備えた窒化物半導体がサファイア基板のA面上に成長されており、前記サファイア基板はR面で劈開されると共に、そそのR面と同一水平面にない活性層の劈開面が共振面とされていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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