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J-GLOBAL ID：200903066357638085

半導体装置の製造方法

Inventor： 谷嶋 幹子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993284640
Publication number (International publication number)：1995142395
Application date： Nov. 15, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、基板の洗浄法と保管法を適正化することによって、有機物質の汚染(分子汚染)による付着炭素量を低減し、その上に形成する配線層等の回路素子を構成する膜の剥離を防止する手段を提供する。【構成】 単結晶、多結晶または非晶質のシリコン層を有する基板の表面をアンモニア水/過酸化水素水/純水の混合液で超音波洗浄し、または、He,Ne等の不活性ガス中でアニールし、または、酸素中、不活性ガス中、真空中、大気中、水素中で紫外線を照射した後気相または液相のHFによって処理して、上記シリコン層の表面の有機物質を除去した直後に、あるいは、このように洗浄した後、電気分解によって酸性化された超純水中、または、5〜50ppmのHF水溶液中に浸漬して清浄な状態で保管した後に、上記シリコン層の上にWSi膜等の回路素子を構成する膜を堆積する。

Claim (excerpt)：

単結晶、多結晶または非晶質のシリコン層を有する基板の表面をアンモニア水/過酸化水素水/純水の混合液で超音波洗浄した後、該シリコン層の上に回路素子を構成する膜を堆積することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  B08B 3/12

FI (2)：

H01L 21/306 B ,  H01L 23/30 D