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J-GLOBAL ID:200903066363472636

MIM型電気素子とその製造方法、及びこれを用いた情報転送装置、画像表示装置、描画装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 豊田 善雄 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992247200
Publication number (International publication number):1993243638
Application date: Aug. 25, 1992
Publication date: Sep. 21, 1993
Summary:
【要約】【目的】 金属/絶縁体/金属のサンドイッチ構造を基本構成とするMIM型電気素子において、強電界がかかっても絶縁体の破壊が生じにくい素子を提供することにある。【構成】 上部電極104と下地電極102の間に絶縁体又は半導体から成るバリア層103を挟持し、かつ、該下地電極102が基板上に形成された貴金属結晶から成る電極基板であって、該貴金属結晶のドメイン境界がほぼ直線状に形成され、X線回折による面方位の分散角が1°以下の電極基板であることを特徴とするMIM型電気素子。
Claim (excerpt):
上部電極と下地電極との間に絶縁体又は半導体からなるバリア層を挟持したMIM型電気素子であって、前記下地電極が基板上に形成された平板状結晶のファセットからなる貴金属結晶を含む電極基板であって、該ファセットの平板面方位が[111]であり、且つX線回折による面方位の分散角が1°以下である領域を含むことを特徴とするMIM型電気素子。
IPC (4):
H01L 49/02 ,  H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01J 31/15
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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