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J-GLOBAL ID：200903066363943221
イオンビームを用いたフォトマスク欠陥修正装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
坂上 正明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001357533
Publication number (International publication number)：2003156833
Application date： Nov. 22, 2001
Publication date： May. 30, 2003
Summary：
【要約】【課題】 1つの電荷中和用電子銃で、電荷中和の最適条件が異なる複数のパターンが混在した場合にも、全てのパターンに対して欠陥認識に十分な良好なイメージが得られるようにする。【解決手段】 電荷中和の最適条件が異なる複数のパターンに対して、時系列的に電荷中和用の電子ビームの電流密度や照射位置・範囲・強度をそれぞれのパターンの最適条件になるように変化させて欠陥を含んだ個所に照射する。
Claim (excerpt)：
イオンビームを用いたフォトマスク欠陥修正装置において、電荷中和用の電子ビームの電流密度や照射位置・範囲・強度を時系列的に変化させて欠陥を含んだ個所に照射することで、電荷中和の条件が異なるパターンが混在した場合にも良好な欠陥認識を行えることを特徴とするフォトマスク欠陥修正装置。
IPC (4)：
G03F 1/08
, H01J 37/30
, H01J 37/317
, H01L 21/027
G03F 1/08 T
, H01J 37/30 A
, H01J 37/317 D
, H01L 21/30 502 P
2H095BD35
, 5C034AA01
, 5C034AA02
, 5C034AB01
, 5C034AB02
, 5C034DD04
, 5C034DD07
