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J-GLOBAL ID：200903066369200964

半導体ウェーハをエッチングするための方法と装置

Inventor： アブラハム、スーザン シー.
Applicant, Patent owner： ラム リサーチ コーポレイション
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997529598
Publication number (International publication number)：2000504884
Application date： Feb. 14, 1997
Publication date： Apr. 18, 2000
Summary：

【要約】プラズマ処理チャンバでのウェーハ積層のTiN層をエッチングするための方法。この方法は、少なくともTiN層の一部を第1化学物質でエッチングする段階を備えている。その化学物質には好適にTiNエッチング・ガス、不活性ガス、および重合体成形化学物質を含む。1つの実施例では、TiNエッチング・ガスはCl2、不活性ガスはアルゴン、重合体成形化学物質はCHF3である。

Claim (excerpt)：

プラズマ処理チャンバにおいて、ウェーハ積層の任意の層、つまりTiN層とTi層の一方をエッチングするための方法であって、 少なくとも前記の指定した層の一部を第1化学物質、つまり前記の指定した層をエッチングするために構成されているエッチング・ガス、不活性ガス、および重合体成形化学物質から成る前記第1化学物質を使用してエッチングすることを特徴とするエッチング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• キセノンを用いたプラズマエッチング
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-134508   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 積層配線のドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-056164   Applicant：ソニー株式会社