Pat
J-GLOBAL ID：200903066371342725
薄形インダクタ/トランスおよびその製造方法
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
田村 弘明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992009787
Publication number (International publication number)：1993198449
Application date： Jan. 23, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、絶縁基板上に、スパイラル状平面コイル、絶縁膜、磁性膜を積層することから成る薄形インダクタ/トランスにおいて、絶縁基板に薄くても耐曲げ性に優れ、熱伝導率が高い基板を用いることにより、外力により容易に曲がらず、放熱性に優れ、インダクタンスの高い薄形インダクタ/トランス及びその製造方法を提供する。【構成】 絶縁基板として厚さ30〜1000μmのセラミック基板を用いる。これにより、スパイラル状平面コイル、絶縁膜、磁性膜それぞれをスクリーン印刷し、焼成する方法により作製可能である。【効果】 電流を多く流すことが可能となり、小形化できる。コイルまたは磁性膜が破損したり、磁性膜が曲げ応力を受け、インダクタンスが低下するのを防止できる。基板が薄くても容易に曲がらず、薄いと磁気抵抗が減るためインダクタンスの高いものが得られる。
Claim (excerpt)：
セラミック基板上に、スパイラル状平面コイル、絶縁膜、磁性膜を積層することから成る薄形インダクタ/トランス。
IPC (6)：
H01F 37/00
, H01F 5/00
, H01F 17/00
, H01F 27/28
, H01F 31/00
, H01F 41/04
