Pat
J-GLOBAL ID：200903066372270604

{111}配向性の高いアルミニウムインターコネクトを実現するTi/TiN/TiN▲x▼下層

Inventor：
ケニー キング-タイ ンガン

About ケニー キング-タイ ンガン

, 
セシャドリ ラマスワミ

About セシャドリ ラマスワミ


Applicant, Patent owner：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

About アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998122623
Publication number (International publication number)：1998312973
Application date： Mar. 27, 1998
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 電子移動の性能を改善しまたリソグラフィープロセスステップを有利にする目的で、バリア層のアルミニウムの{111}含有率を上げる。【解決手段】 IMP技術を用いて(Ti又はTiNX)/TiN/TiNXバリア層を堆積する場合に、Ti又はTiNX である第1層の厚さを約100オングストローム以上、〜約500オングストロームまで(表面形状の幾何関係がこの厚みの上限を制限する)までの範囲に厚くし、TiNの第2層を約100オングストローム以上約800オングストローム以下(好ましくは約600オングストローム以下)の範囲に薄くし、TiNXの第3層の形成を制御してTi含有率が約50原子パーセントチタン(ストイキオメトリック)〜約100原子パーセントチタンとなるようにすることにより、(Ti又はTiNX)/TiN/TiNXバリア層を改良することができる。第1層がTiNXである場合は、Tiの原子パーセントは少なくとも約40パーセントである。
Claim (excerpt)：
a)約100オングストローム〜約500オングストロームの厚さを有する、Ti又はTiNXの第1層と、b)約100オングストローム〜約800オングストロームの厚さを有するTiNの第2層と、c)約15オングストローム〜約500オングストロームの厚さを有する第3層とを備えた構造を有するバリア層。
IPC (3)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3205
FI (3)：
H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/88 N
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 配線形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-116686   Applicant：ソニー株式会社
  • 配線の形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-294026   Applicant：ソニー株式会社
  • 配線形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-190122   Applicant：ソニー株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM