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J-GLOBAL ID：200903066384444667

半導体素子及びその製造方法

Inventor： 山中 良亮 ,  見立 武仁 ,  里村 雅史 ,  湊 和明 ,  原田 茂夫 ,  山本 義宏 ,  富田 孝司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 藤本 博光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995261651
Publication number (International publication number)：1997107129
Application date： Oct. 09, 1995
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 容易に半導体を任意の形状に積層でき、コンパクトで性能の向上が図れる半導体素子及びその製造方法を提案するものである。【解決手段】 ポリイミドやテフロン等のフレキシブルなフィルム状絶縁基板2と、その片面の全面に形成した熱電変換用の半導体3とからなり、フィルム状絶縁基板2を円柱状に巻き取ることで、前記半導体3を積層した構造である。半導体3は、超薄膜による超格子構造のP型熱変換半導体あるいはN型熱変換半導体である。

Claim (excerpt)：

フレキシブルなフィルム状絶縁基板と、該フィルム状絶縁基板の片面上に形成された半導体とからなり、前記フィルム状絶縁基板を巻いて半導体を積層する構造とすることを特徴とする半導体素子。