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J-GLOBAL ID：200903066392778132

成膜方法

Inventor： 今井 正幸 ,  西村 俊治
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 浅井 章弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993084052
Publication number (International publication number)：1994275608
Application date： Mar. 18, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 成膜開始当初の状態を繰り返し再現することにより成膜の面間及び面内均一性を向上させることができる成膜方法を提供する。【構成】 処理容器4内へ収容した被処理体Wに処理ガスを供給して表面に薄膜を形成する成膜方法において、処理ガスの供給の抑制、例えば供給停止と定常供給とを繰り返す。これにより、処理ガスの拡散を阻害する反応副生成物の影響を大幅に抑制することができる。

Claim (excerpt)：

処理容器内へ収容された被処理体に1種または複数種類の処理ガスを供給して反応させることにより前記被処理体の表面に薄膜を形成する成膜方法において、前記処理ガスの少なくとも1種類の供給の抑制と定常供給とを繰り返すことを特徴とする成膜方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-093071
  
• 特開平1-143221
  
• 特開昭60-116136