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J-GLOBAL ID：200903066399535359
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993122629
Publication number (International publication number)：1994334036
Application date： May. 25, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】半導体装置のリフローハンダ付け時、熱膨張差による大きなギャップを生じさせず水分の発生を防止することにより信頼性の高い半導体装置を提供する。【構成】半導体素子11をTABにて、インナーリード14とボンデイングパッド12とを接続し、半導体素子の裏面が露出するようにして樹脂成形したパッケージの半導体素子の側面形状に於いて、能動面側の長さが裏面側の長さよりも長い事を特徴とする半導体装置。またそのためダイシング工程に於いて、ダイシングブレードの刃先の厚さが、回転中心側より薄く成形したダイシングブレードで、ウエハの裏面よりカットあるいはカットの最初にウエハの裏面よりハーフカットを行い、次に1回目のダイシングブレードよりも薄いブレードで完全にカットする事を特徴とする半導体装置の製造方法。【効果】アルミ配線あるいはアルミパッドの腐食を防止し、信頼性が向上する。
Claim (excerpt)：
半導体素子をTABにて、インナーリードとボンデイングパッドとを接続し、半導体素子の裏面が露出するようにして樹脂成形したパッケージの半導体素子の側面形状に於いて、能動面側の長さが裏面側の長さよりも長い事を特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/78
, H01L 21/60 311
