Pat

J-GLOBAL ID：200903066401398690

多層磁気抵抗型薄膜変換器

Inventor： マルコス・エム・レダーマン ,  デレク・ジャン・クローズ
Applicant, Patent owner： リード-ライト コーポレーション
Agent (1)： 梅田 明彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997044579
Publication number (International publication number)：1998011720
Application date： Feb. 12, 1997
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【構成】 磁気変換ギャップGを画定する複数の磁束ガイドポール部材14、15を用いた巨大磁気抵抗型(GMR)薄膜変換器。多層の積層体からなるGMR構造11が、一方の磁束ガイドポール部材の分離された部分14a、14b間にかつ変換ギャップから離隔して配置される。バイアス電流は、CPP(平面内電流)モードで供給される。別の実施例では、このようなGMR構造を複数直列に連結して、単一のGMR積層体構造により得られるよりも大きな出力信号を供給する。【効果】 GMR積層体構造を変換ギャップから離隔して増加したスペースを利用して、該GMR積層体構造の層の数、その長さ及び幅を最適化できる。製造工程を簡単化できる。

Claim (excerpt)：

磁気記録媒体との間で変換を行うための多層磁気抵抗型薄膜変換器であって、第1磁束ガイド部材と、前記第1磁束ガイド部材から離隔された第2磁束ガイド部材とからなり、前記第1及び第2磁束ガイド部材の各一方の端部が前記変換器の媒体対向端部まで延長して変換ギャップを形成する磁気ヨークと、一方の前記磁束ガイド部材に、前記磁気記録媒体から前記一方の磁束ガイド部材に誘導される磁束の通路内に位置するように設けられ、かつ前記変換ギャップから離隔配置された複数の間隔を置いた多層の巨大磁気抵抗構造と、前記変換器の総電気抵抗を増大させるために、前記複数の多層磁気抵抗構造が互いに電気的に直列に接続されるように、前記磁気抵抗構造間に配設された導電体と、前記導電体を流れる電流が前記巨大磁気抵抗構造の中を、前記巨大磁気抵抗構造の個々の層の平面に対して垂直な向きに流れるように、前記導電体に接続された電源と、前記巨大磁気抵抗構造に磁気バイアスを与えるために、前記巨大磁気抵抗構造に磁気的に近接して配置された磁気バイアス手段とを有することを特徴とする多層磁気抵抗型薄膜変換器。