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J-GLOBAL ID：200903066433322564

光起電力装置

Inventor： 渡辺 隆行 ,  松井 正宏 ,  南方 尚
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993068212
Publication number (International publication number)：1994283738
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【構成】 タンデム構造の光起電力装置において、光吸収層として、下部セルは結晶シリコンを、上部セルはCuInS2 などの結晶シリコンよりもバンドギャップの大きいカルコパイライト化合物を用いる光起電力装置。【効果】 変換効率が高く、光照射時の耐久性に優れ、かつ安価なタンデム構造の光起電力装置が作製できる。

Claim (excerpt)：

結晶シリコンからなるPN型の第1の光起電力素子と、結晶シリコンよりもバンドギャップの広い元素周期律表のI-III -VI族化合物を光吸収層として有する第2の光起電力素子とを積層することを特徴とする光起電力装置。

FI (2)：

H01L 31/04 Y ,  H01L 31/04 E