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J-GLOBAL ID：200903066449014983
ボールグリッドアレイ型半導体装置およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994174220
Publication number (International publication number)：1996046077
Application date： Jul. 26, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：
【要約】【目的】 バーンイン試験時に起因する突起電極表面の酸化膜発生防止。【構成】 配線基板の主面に封止体を有しかつ裏面にアレイ状に突起電極を有するボールグリッドアレイ型半導体装置(BGA型半導体装置)の製造方法であって、配線基板用意,半導体チップ固定,ワイヤボンディング,封止,バーンイン試験,非酸化性雰囲気下での突起電極(ハンダバンプ)取付,配線基板個片化,配線基板側面絶縁化および動作試験の各工程を経てBGA型半導体装置を製造する。突起電極は動作試験後に取り付けられるため、動作試験時の高温雰囲気に起因する突起電極の表面の酸化がなく、突起電極の表面の酸化膜は自然酸化膜だけとなり薄い。動作試験時コンタクト抵抗が低く試験が安定する。BGA型半導体装置の実装も表面酸化膜が薄いことから実装の信頼性も高くなる。
Claim (excerpt)：
主面および裏面に配線を有する配線基板と、前記配線基板の主面に固定された半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記配線基板の配線とを電気的に接続する接続手段と、前記配線基板の主面側に張り付くように設けられかつ前記半導体チップおよび前記接続手段を覆う樹脂からなる封止体と、前記配線基板の裏面に複数設けられた突起電極とを有するボールグリッドアレイ型半導体装置であって、前記突起電極の表面がバーンイン試験時の高温雰囲気に晒されて形成される酸化膜を含まないことを特徴とするボールグリッドアレイ型半導体装置。
IPC (3)：
H01L 23/12
, H01L 21/66
, H01L 21/321
H01L 23/12 L
, H01L 21/92 602 E
, H01L 21/92 604 T
